怎么让固态硬盘的寿命更长久？

这个担心完全是多余的，只要你使用的SSD品质合格，就是可以放心使用的，直至你的电脑淘汰掉。

SSD的寿命指的是SSD在质保期内，可以写入的数据量，以消费级的M.2 NVMe SSD为例，1TB对应的寿命一般在600TBW。

600TBW是什么概念？

这是我的迅雷下载盘，美光MX300 750GB，使用TLC NAND，SATA接口，累计使用时间约合244天，累计写入35.54TB，下载过很多电影，剩余寿命还有 92%。

这个是目前使用的系统盘，WD的SN750，500GB，目前写入量只有3.05TB。

假设你选择的是容量为1TB，TLC NAND介质的SSD，那么，其寿命是完全足够你使用的，如果不够，可以考虑购买2TB容量，寿命会翻倍为1200TBW。

退一万步说，即使你的写入量很大，比如，达到了600TB，健康度提示为0，注意，这只是用来衡量SSD质保的指标，即，达到600TBW，SSD厂商不再提供对这块SSD的质保。此时，厂商，包括我个人，都不会推荐你继续使用该SSD保存重要数据，但并不意味着SSD已经彻底不能使用。有些盘可能会启动写保护，有些可能可以继续写，只要注意不存放重要且唯一数据即可。

之所以会有SSD寿命短的说法，主要是因为随着闪存介质的技术迭代，SLC、MLC、TLC甚至QLC、PLC NAND的最大可擦写次数一直是降低的。

如，SLC支持数万次擦写，MLC为数千次，TLC在刚刚推出时，擦写次数仅为1000次左右。

之所以有擦写次数限制，是由于NAND自身工作原理导致的：NAND通过改变保存在浮栅内的电荷数量，对浮栅电平进行调节，不同电平代表不同的数据。

假设，上图代表了TLC NAND一个浮栅单元的8个不同电平，随着保存在里面的电荷数量不断增加，从A-H依次升高，就好像万用表测量电压一样（这个假设不一定对，也可能是随着电荷的增加依次递减，这里有懂NAND的朋友可以纠正或补充）。不同的电平对应不同的数据：

再次重申，上述逻辑是准确的，但对应关系可能是反着的，这块我不专业，有专业的朋友可以纠正。

状态越多，数据写入（编程）时对精确度的要求越高，性能越差，数据出错的概率也会增加！

NAND在擦写过程中，电荷穿过隧道氧化层并对其造成磨损。随着擦写次数的增多，磨损加剧，隧道氧化层对保存在浮栅内的电荷约束力下降，进而加速电荷流失。电荷的多少会影响电平，进而影响数据。

电荷的流失速度并不取决于NAND类型，SLC也好，MLC也好，TLC也罢，都无所谓，它只和NAND自身磨损情况有关（早先落后的制造工艺，这个浮栅氧化层更厚，对电荷的约束力也会更好一些）。SLC要想数据出错，要么数据放置了非常非常非常久，或者磨损非常非常非常严重；到了QLC甚至PLC，只需要较短的放置时间，或轻微的磨损，就会出现电平变化。

至此，也就解释了为何从SLC到MLC，再到TLC，再到QLC、PLC，其NAND本身可擦写次数越来越少的原因。

纠错！

电荷会流失，谁也阻拦不了。重点是，SSD能不能对发生改变的电平，识别出来，并加以纠正。比如：

纠错算法的不断升级，使得SSD可以使用TLC NAND、QLC NAND，甚至未来使用PLC NAND。

或者，用更强的纠错算法，支持更多的NAND磨损。如，今天再看TLC NAND，其最大可擦写次数变成了3000、5000甚至10000。

同样是TLC NAND SSD，SATA消费级的寿命可能只有同容量NVMe消费级的一半儿，这个可能和主控、纠错有关。

我想至此，也解释了为何QLC NAND的SSD，至今没有成为主流。

回到问题本身

目前，SSD价格基本已经跌至谷底，2TB TLC NAND SSD甚至不足千元。最理想情况下，假设写放大倍数为1，不存在额外写入，

SSD写入寿命 ≈ 容量 × NAND最大可擦写次数

最大可擦写次数虽然少了，但同样的价格，你能买到的SSD的容量成倍增加了，你还会觉得SSD的寿命短了吗？